時間
議程-主講者
13:25 – 13:30
致歡迎辭
主辦單位致詞
13:30 – 13:45
Keynote:
Powering the Future: How SiC Accelerates Technology Progress
蕭逸楷 Jason Hsiao
鴻海科技集團 半導體研究所組長
牛津儀器電漿設備應用於化合物半導體製程成果及優勢展示
Oxford Instruments Plasma Technology: Advantages in Compound Semiconductor Manufacturing Processes
林家宏 Hank Lin
Oxford Instruments 牛津儀器/ Head of Sales, KAST 亞太區業務總監
14:15 – 14:35
From Silicon IGBT to SiC MOSFET: Emerging Thermal Limitations in Power Semiconductor Devices
Domenico Lo Verde
FuYi PowerTech 富奕科技 CTO
14:35 – 14:55
Ancora’s Smart Discrete GaN for high performance power supply applications(暫定)
14:55 – 15:15
寬能隙半導體助資料中心電源系統更節能(暫定)
曾名祥 Milan Tseng
Ancora 碇基半導體 市場行銷部 FAE高級主任工程師
15:15 – 15:55
中場休息
15:55 – 16:10
寬能隙半導體及ORing 驅動供電方案
廖銘義 Adrian Liao
擎力科技 應用工程部經理 FAE Manager
16:10 – 16:25
邁向超高電壓與高功率密度時代，材料品質如何成為下一個系統瓶頸？(暫定)
吳義章
格棋化合物半導體 業務處長
16:25 – 16:40
車用SiC元件技術發展(暫定)
創瑞科技
16:40 – 16:55
SiC/GaN在AI資料中心各擅所長(暫定)
16:55 – 17:00
幸運抽獎
華南國際會議中心
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